TY  - JOUR

T1  - Carrier lifetime and exciton saturation in a strain-balanced InGaAs/InAsP multiple quantum well

JO  - J APPL PHYS

PY  - 1998/01/01

AU  - Mottahedeh R

AU  - Prescott D

AU  - Haywood SK

AU  - Pattison DA

AU  - Kean PN

AU  - Bennion I

AU  - Hopkinson M

AU  - Pate M

AU  - Hart L

ED  - 

VL  - 83

IS  - 1

SP  - 306

EP  - 309

Y2  - 2024/12/27

ER  -