TY  - JOUR

T1  - Role of segregation in InAs/GaAs quantum dot structures capped with a GaAsSb strain-reduction layer

JO  - PHYS REV B

PY  - 2009/10/01

AU  - Haxha V

AU  - Drouzas I

AU  - Ulloa JM

AU  - Bozkurt M

AU  - Koenraad PM

AU  - Mowbray DJ

AU  - Liu HY

AU  - Steer MJ

AU  - Hopkinson M

AU  - Migliorato MA

ED  - 

DO  - DOI: 10.1103/PhysRevB.80.165334

VL  - 80

IS  - 16

Y2  - 2024/12/27

ER  -